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      近來，本(ben)鄉NAND供貨商長江(jiang)存儲位于武漢的(de)出產基地開(kai)端裝置(zhi)芯片出產(chan)機臺，由此該(gai)基(ji)地的工作重點正式從廠(chang)房建(jian)造轉向投(tou)產(chan)預備。估計本年年末，武漢NAND基(ji)地將小規模量產(chan)32層3D NAND芯片(pian)。現在(zai)，長(chang)江存儲也獲得了(le)第一筆(bi)訂單：總(zong)計10776顆閃存芯片(pian)，將用于8GB USD存儲卡產(chan)品。
      國產閃存(cun)取得(de)“零度打破”，的確振奮人(ren)心，加上此前紫光(guang)內(nei)存也投入量(liang)產，本年(nian)的確是本鄉半(ban)導體(ti)的大年。現階段(duan)，世(shi)界存(cun)儲器(qi)商(shang)場仍舊處在(zai)景氣周期(qi)，不論(lun)是內存仍是閃存總體上均(jun)求(qiu)(qiu)過(guo)于供(gong)。國(guo)產存儲(chu)器(qi)的量產，無疑將會推升供(gong)應端，并有(you)潛(qian)力逆轉當時的供(gong)求(qiu)(qiu)局(ju)勢。對(dui)美日韓(han)大廠(chang)來說，單邊上漲行情(qing)的趨弱(ruo)乃至完結，標志著以往“躺贏”的日子(zi)一去(qu)不復返。
      存儲器商場內需巨(ju)大 本鄉(xiang)廠商添補勢在必行
      現階段(duan)，智能手機依然(ran)是對存儲器需(xu)求最(zui)大的工業范疇(chou)。雖(sui)然智(zhi)能手機(ji)面臨增加瓶(ping)頸，但該工業(ye)所消(xiao)耗的DRAM和NAND閃存(cun)不論(lun)是(shi)(shi)標準仍是(shi)(shi)數量均占大(da)部。特別是(shi)(shi)近(jin)年來國產手機(ji)品牌興起，所掀(xian)起的裝備大(da)戰更是(shi)(shi)進一步(bu)推升了國內存(cun)儲器商場的需(xu)求量。
      此外，人工智能、聯(lian)網汽車等(deng)使用相同(tong)需求快速(su)且大容(rong)量的存儲器，跟著這些工業敏捷興起，DRAM和閃存的需(xu)求也(ye)隨之水漲(zhang)船高，開展到與手機職業爭(zheng)產能的(de)地步。因為很多(duo)許(xu)多(duo)需求井噴，存(cun)儲器自2016年(nian)下半年(nian)起便掀起瘋狂的(de)提價潮，直接成果了三星、SK海力(li)士及美光等供貨商(shang)的超卓業績。
      但是(shi)(shi)工作的另一面(mian)，卻是(shi)(shi)本鄉IC工業在存儲范疇長期缺位，底子吃不(bu)到這(zhe)輪工業盈(ying)余。更深(shen)化看(kan)，存儲器作(zuo)為戰略等級的元器件(jian)，其(qi)中心科技把握在(zai)美日(ri)韓廠(chang)商之手，對國(guo)家安全(quan)、工業安全(quan)非常晦(hui)氣(qi)，因(yin)而開展(zhan)本(ben)鄉存儲工業，其(qi)必要性(xing)顯而易見。
      四大(da)本鄉(xiang)廠商發(fa)動自(zi)主進程
      現在(zai)我國主要有四(si)大廠(chang)商攻堅存儲(chu)芯片，以進(jin)步本鄉芯片(pian)自給(gei)率，保(bao)障國家安全及工業(ye)安全。
      首先(xian)提(ti)及的就(jiu)是行將量產的長(chang)江(jiang)存儲。經(jing)過(guo)不懈努力(li)，長江存(cun)儲于上(shang)一(yi)年9月(yue)(yue)提早完(wan)結廠房(fang)封頂工作，本年4月(yue)(yue)又(you)提早20天(tian)完(wan)結了出產機臺遷入，估計本年年末即(ji)可(ke)量產32層NAND。下一(yi)個方針，長江存(cun)儲還要霸占64層NAND，盡(jin)量追逐美日韓廠的先進水平。
      再看(kan)DRAM。現在，合肥(fei)長鑫宣告其12寸出產(chan)基地的300臺(tai)設備根(gen)本到位(wei)，裝機后(hou)估計下半年(nian)(nian)投入試產(chan)。依(yi)照規劃，合肥(fei)長鑫將(jiang)在本年(nian)(nian)年(nian)(nian)末發動出產(chan)8G DDR4工(gong)程樣(yang)品；2019年(nian)(nian)2019年(nian)(nian)末完結單月產(chan)能2萬片；2020年(nian)(nian)開端規劃二廠建造(zao)；2021年(nian)(nian)完結17 nm技能研制。
      在合肥(fei)還(huan)有另一(yi)家存儲廠商(shang)兆(zhao)易立異也投入DRAM。現在兆(zhao)易立異正研制(zhi)19 nm DRAM，估(gu)計本(ben)年年末前研制(zhi)成(cheng)功完結試產良(liang)率不(bu)低于10%。相較NAND，高制(zhi)程DRAM技能難(nan)度有過之無不(bu)及，三星等廠商均(jun)閱歷(li)了一段(duan)陣痛期才進化到(dao)18 nm的水(shui)平，因(yin)而對合肥(fei)長鑫和(he)兆(zhao)易立異，也唯有報以期待(dai)。
      在DRAM范疇，一支(zhi)力氣，即福建晉華。比較(jiao)前述廠商(shang)攻堅標準型(xing)和移動型(xing)產品，晉華挑選(xuan)的是32nm 利基型(xing)DRAM，此類(lei)產品用于(yu)路由器、機頂盒等(deng)設備，其研制(zhi)門檻較(jiao)低(di)，商(shang)場(chang)也較(jiao)小(xiao)，面(mian)臨的競賽較(jiao)為平緩，因(yin)而相(xiang)對容(rong)易成(cheng)功。
      存儲器供應局勢生變(bian)局
      自2016年下半年，存儲器(qi)總體上(shang)處于提價周(zhou)期，美日(ri)韓廠商均有(you)巨額盈余。為獲取(qu)更(geng)大(da)贏利(li)，三星、SK海力士及東(dong)芝等廠都(dou)敞開了擴(kuo)產方案，這些新增產能估計(ji)2019至2020年連(lian)續開出(chu)，而原有求(qiu)過于供的(de)商(shang)場局勢也有望回歸(gui)供求(qiu)同步增加的(de)理性格式。
      實際上，跟(gen)著現(xian)在冷(leng)季(ji)(ji)效(xiao)應顯現(xian)，NAND閃存自開年(nian)起(qi)便出(chu)現(xian)小(xiao)幅供過于(yu)求的行情，而DRAM則(ze)持(chi)續堅(jian)持(chi)景氣(qi)。估計下半(ban)年(nian)電子產品旺季(ji)(ji)，存(cun)儲(chu)器才重回緊俏行情。
      不(bu)過，跟(gen)著本鄉(xiang)存(cun)儲(chu)廠(chang)商(shang)(shang)打入供(gong)應端(duan)，很(hen)難(nan)再判別(bie)存(cun)儲器的(de)熾熱(re)能否再連(lian)續(xu)一年(nian)乃(nai)至數年(nian)。現(xian)在(zai)，長(chang)江(jiang)存(cun)儲所主(zhu)打的(de)32層(ceng)閃(shan)存(cun)嚴峻落后(hou)，對(dui)商(shang)(shang)場影響(xiang)有(you)限(xian)，但其(qi)64層(ceng)閃(shan)存(cun)投產后(hou)，就會發生可觀影響(xiang)。歸納世(shi)界廠(chang)商(shang)(shang)擴(kuo)產及本鄉廠(chang)商(shang)(shang)的(de)增產，估計2019年(nian)起閃(shan)存(cun)商(shang)(shang)場將(jiang)出現(xian)供(gong)過于求(qiu)的(de)狀況，到(dao)時(shi)閃(shan)存(cun)提(ti)價趨(qu)于平緩(huan)乃(nai)至完結，供(gong)貨商(shang)(shang)“躺(tang)贏”獲利(li)的(de)局勢(shi)也不(bu)復(fu)存(cun)在(zai)。
      至于(yu)(yu)DRAM，標準型(xing)、移動型(xing)和服務(wu)器用內存均堅持(chi)穩步增加，而(er)(er)廠(chang)商擴產(chan)又主要集(ji)中于(yu)(yu)3D NAND，因(yin)(yin)而(er)(er)求過于(yu)(yu)供(gong)將(jiang)貫穿本(ben)年度，并將(jiang)連(lian)續(xu)至2019年。因(yin)(yin)為先(xian)進(jin)制程DRAM開發(fa)難度極(ji)大(da)，本(ben)鄉供(gong)貨(huo)商短期內無(wu)法(fa)擠進(jin)供(gong)應端，加之美韓廠(chang)商擴產(chan)有限，因(yin)(yin)而(er)(er)DRAM的行情將(jiang)會比NAND堅挺(ting)。
      遠景：使用內需完結供應代(dai)替
      現(xian)在，我國(guo)已(yi)開(kai)展(zhan)成世(shi)界上最(zui)大的(de)存(cun)儲器消費商場，但本鄉(xiang)存(cun)儲工(gong)業的空(kong)白，使得(de)如此(ci)巨大的商場盡被世界(jie)大廠分割。對本鄉(xiang)IC工(gong)業來(lai)說，亟待打破困局。
      歸納看，美日韓(han)廠技(ji)能本(ben)就先進，又不(bu)斷開展(zhan)，本(ben)鄉廠商追(zhui)逐的難度(du)可想而知，也正是因而，本(ben)鄉存儲實力才(cai)(cai)需(xu)(xu)投入更大(da)人力物力，爭奪提(ti)前(qian)研制出高端存(cun)儲器。戰略上，本(ben)鄉(xiang)存(cun)儲器的(de)(de)成功離不開廣闊的(de)(de)內需(xu)(xu)商場。政府牽(qian)頭經過工業(ye)補(bu)助等各個途徑，使用內需(xu)(xu)逐步完結供應代(dai)替，才(cai)(cai)是終究(jiu)的(de)(de)解決之道。