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      近來(lái)，本鄉(xiāng)NAND供貨商長(zhǎng)江存儲(chǔ)位于武漢的出產(chǎn)基地開端裝置芯片出產(chǎn)機(jī)臺(tái)，由此該基地的工作重點(diǎn)正式從廠房建造轉(zhuǎn)向投產(chǎn)預(yù)備。估計(jì)本年年末，武漢NAND基地將小規(guī)模量產(chǎn)32層3D NAND芯片。現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也獲得了第一筆訂單：總計(jì)10776顆閃存芯片，將用于8GB USD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品。
      國(guó)產(chǎn)閃存取得“零度打破”，的確振奮人心，加上此前紫光內(nèi)存也投入量產(chǎn)，本年的確是本鄉(xiāng)半導(dǎo)體的大年?，F(xiàn)階段，世界存儲(chǔ)器商場(chǎng)仍舊處在景氣周期，不論是內(nèi)存仍是閃存總體上均求過于供。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器的量產(chǎn)，無(wú)疑將會(huì)推升供應(yīng)端，并有潛力逆轉(zhuǎn)當(dāng)時(shí)的供求局勢(shì)。對(duì)美日韓大廠來(lái)說，單邊上漲行情的趨弱乃至完結(jié)，標(biāo)志著以往“躺贏”的日子一去不復(fù)返。
      存儲(chǔ)器商場(chǎng)內(nèi)需巨大 本鄉(xiāng)廠商添補(bǔ)勢(shì)在必行
      現(xiàn)階段，智能手機(jī)依然是對(duì)存儲(chǔ)器需求最大的工業(yè)范疇。雖然智能手機(jī)面臨增加瓶頸，但該工業(yè)所消耗的DRAM和NAND閃存不論是標(biāo)準(zhǔn)仍是數(shù)量均占大部。特別是近年來(lái)國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌興起，所掀起的裝備大戰(zhàn)更是進(jìn)一步推升了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器商場(chǎng)的需求量。
      此外，人工智能、聯(lián)網(wǎng)汽車等使用相同需求快速且大容量的存儲(chǔ)器，跟著這些工業(yè)敏捷興起，DRAM和閃存的需求也隨之水漲船高，開展到與手機(jī)職業(yè)爭(zhēng)產(chǎn)能的地步。因?yàn)楹芏嘣S多需求井噴，存儲(chǔ)器自2016年下半年起便掀起瘋狂的提價(jià)潮，直接成果了三星、SK海力士及美光等供貨商的超卓業(yè)績(jī)。
      但是工作的另一面，卻是本鄉(xiāng)IC工業(yè)在存儲(chǔ)范疇長(zhǎng)期缺位，底子吃不到這輪工業(yè)盈余。更深化看，存儲(chǔ)器作為戰(zhàn)略等級(jí)的元器件，其中心科技把握在美日韓廠商之手，對(duì)國(guó)家安全、工業(yè)安全非?；逇猓蚨_展本鄉(xiāng)存儲(chǔ)工業(yè)，其必要性顯而易見。
      四大本鄉(xiāng)廠商發(fā)動(dòng)自主進(jìn)程
      現(xiàn)在我國(guó)主要有四大廠商攻堅(jiān)存儲(chǔ)芯片，以進(jìn)步本鄉(xiāng)芯片自給率，保障國(guó)家安全及工業(yè)安全。
      首先提及的就是行將量產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)。經(jīng)過不懈努力，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于上一年9月提早完結(jié)廠房封頂工作，本年4月又提早20天完結(jié)了出產(chǎn)機(jī)臺(tái)遷入，估計(jì)本年年末即可量產(chǎn)32層NAND。下一個(gè)方針，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要霸占64層NAND，盡量追逐美日韓廠的先進(jìn)水平。
      再看DRAM?，F(xiàn)在，合肥長(zhǎng)鑫宣告其12寸出產(chǎn)基地的300臺(tái)設(shè)備根本到位，裝機(jī)后估計(jì)下半年投入試產(chǎn)。依照規(guī)劃，合肥長(zhǎng)鑫將在本年年末發(fā)動(dòng)出產(chǎn)8G DDR4工程樣品；2019年2019年末完結(jié)單月產(chǎn)能2萬(wàn)片；2020年開端規(guī)劃二廠建造；2021年完結(jié)17 nm技能研制。
      在合肥還有另一家存儲(chǔ)廠商兆易立異也投入DRAM。現(xiàn)在兆易立異正研制19 nm DRAM，估計(jì)本年年末前研制成功完結(jié)試產(chǎn)良率不低于10%。相較NAND，高制程DRAM技能難度有過之無(wú)不及，三星等廠商均閱歷了一段陣痛期才進(jìn)化到18 nm的水平，因而對(duì)合肥長(zhǎng)鑫和兆易立異，也唯有報(bào)以期待。
      在DRAM范疇，一支力氣，即福建晉華。比較前述廠商攻堅(jiān)標(biāo)準(zhǔn)型和移動(dòng)型產(chǎn)品，晉華挑選的是32nm 利基型DRAM，此類產(chǎn)品用于路由器、機(jī)頂盒等設(shè)備，其研制門檻較低，商場(chǎng)也較小，面臨的競(jìng)賽較為平緩，因而相對(duì)容易成功。
      存儲(chǔ)器供應(yīng)局勢(shì)生變局
      自2016年下半年，存儲(chǔ)器總體上處于提價(jià)周期，美日韓廠商均有巨額盈余。為獲取更大贏利，三星、SK海力士及東芝等廠都敞開了擴(kuò)產(chǎn)方案，這些新增產(chǎn)能估計(jì)2019至2020年連續(xù)開出，而原有求過于供的商場(chǎng)局勢(shì)也有望回歸供求同步增加的理性格式。
      實(shí)際上，跟著現(xiàn)在冷季效應(yīng)顯現(xiàn)，NAND閃存自開年起便出現(xiàn)小幅供過于求的行情，而DRAM則持續(xù)堅(jiān)持景氣。估計(jì)下半年電子產(chǎn)品旺季，存儲(chǔ)器才重回緊俏行情。
      不過，跟著本鄉(xiāng)存儲(chǔ)廠商打入供應(yīng)端，很難再判別存儲(chǔ)器的熾熱能否再連續(xù)一年乃至數(shù)年?，F(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)所主打的32層閃存嚴(yán)峻落后，對(duì)商場(chǎng)影響有限，但其64層閃存投產(chǎn)后，就會(huì)發(fā)生可觀影響。歸納世界廠商擴(kuò)產(chǎn)及本鄉(xiāng)廠商的增產(chǎn)，估計(jì)2019年起閃存商場(chǎng)將出現(xiàn)供過于求的狀況，到時(shí)閃存提價(jià)趨于平緩乃至完結(jié)，供貨商“躺贏”獲利的局勢(shì)也不復(fù)存在。
      至于DRAM，標(biāo)準(zhǔn)型、移動(dòng)型和服務(wù)器用內(nèi)存均堅(jiān)持穩(wěn)步增加，而廠商擴(kuò)產(chǎn)又主要集中于3D NAND，因而求過于供將貫穿本年度，并將連續(xù)至2019年。因?yàn)橄冗M(jìn)制程DRAM開發(fā)難度極大，本鄉(xiāng)供貨商短期內(nèi)無(wú)法擠進(jìn)供應(yīng)端，加之美韓廠商擴(kuò)產(chǎn)有限，因而DRAM的行情將會(huì)比NAND堅(jiān)挺。
      遠(yuǎn)景：使用內(nèi)需完結(jié)供應(yīng)代替
      現(xiàn)在，我國(guó)已開展成世界上最大的存儲(chǔ)器消費(fèi)商場(chǎng)，但本鄉(xiāng)存儲(chǔ)工業(yè)的空白，使得如此巨大的商場(chǎng)盡被世界大廠分割。對(duì)本鄉(xiāng)IC工業(yè)來(lái)說，亟待打破困局。
      歸納看，美日韓廠技能本就先進(jìn)，又不斷開展，本鄉(xiāng)廠商追逐的難度可想而知，也正是因而，本鄉(xiāng)存儲(chǔ)實(shí)力才需投入更大人力物力，爭(zhēng)奪提前研制出高端存儲(chǔ)器。戰(zhàn)略上，本鄉(xiāng)存儲(chǔ)器的成功離不開廣闊的內(nèi)需商場(chǎng)。政府牽頭經(jīng)過工業(yè)補(bǔ)助等各個(gè)途徑，使用內(nèi)需逐步完結(jié)供應(yīng)代替，才是終究的解決之道。